DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 150 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMP AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200
- RS-artikelnummer:
- 182-6906
- Tillv. art.nr:
- DMP2003UPS-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (1 rulle med 2500 enheter)*
17 472,50 kr
(exkl. moms)
21 840,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 5 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 6,989 kr | 17 472,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 182-6906
- Tillv. art.nr:
- DMP2003UPS-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 150A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | PowerDI5060 | |
| Serie | DMP | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 177nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 12V | |
| Maximal effektförlust Pd | 80W | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.1V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 5.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.05mm | |
| Längd | 6mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 150A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp PowerDI5060 | ||
Serie DMP | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 177nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 12V | ||
Maximal effektförlust Pd 80W | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.1V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 5.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.05mm | ||
Längd 6mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Denna nya generation MOSFET är utformad för att minimera RDS(ON) och ändå bibehålla överlägsen omkopplingsprestanda. Denna enhet är idealisk för användning i batteriströmhantering och belastningsswitch för bärbara datorer.
Termiskt effektiva paket-kylare drifttillämpningar
Hög konverteringseffektivitet
Låg RDS(ON) – minimerar on-state-förluster
<
Blyfri yta
Halogen- och antimonfri. Grön enhet
Användning
Strömbrytare
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 150 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMP AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 21 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMP AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060-8, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 8.7 A 12 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMP AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 0.25 A 450 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, DMP AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 300 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMP AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMT4001 AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100
- DiodesZetex Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 3.1 A 20 V Förbättring, 6 Ben, UDFN-2020, DMP AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100