DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 300 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMP AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200
- RS-artikelnummer:
- 170-8886
- Tillv. art.nr:
- DMP32D4S-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig
- RS-artikelnummer:
- 170-8886
- Tillv. art.nr:
- DMP32D4S-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 300mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | DMP | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20, +20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 1.2nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.8V | |
| Maximal effektförlust Pd | 540mW | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 3mm | |
| Höjd | 1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 1.4mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 300mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie DMP | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20, +20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 1.2nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.8V | ||
Maximal effektförlust Pd 540mW | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 3mm | ||
Höjd 1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 1.4mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
P-kanal MOSFET, 30 V, Diodes Inc
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 300 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMP AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 21 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMP AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 8.7 A 12 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMP AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 150 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMP AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 0.25 A 450 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, DMP AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 4.2 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 5.2 A 12 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 2 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMP AEC-Q101