DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMT4001 AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100

Se alla MOSFET-transistor
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
206-0141
Tillv. art.nr:
DMT4001LPS-13
Tillverkare / varumärke:
DiodesZetex
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

DiodesZetex

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

100A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Serie

DMT4001

Kapseltyp

PowerDI5060

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

1.6mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

160nC

Maximal effektförlust Pd

2.6W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

0.9mm

Längd

6.15mm

Fordonsstandard

AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100

COO (ursprungsland):
CN
DiodesZetex 40 V, 8-polig N-kanalförstärkningsläge MOSFET är utformad för att minimera påslagningsresistansen samtidigt som den upprätthåller överlägsen omkopplingsprestanda, vilket gör den idealisk för högeffektiva strömhanteringstillämpningar. Grindkällans spänning är 20 V med 2,6 W termisk effektförlust.

Hög konverteringseffektivitet

Låg RDS(ON) – minimerar tillståndsförluster

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.