DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 0.25 A 450 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, DMP AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200
- RS-artikelnummer:
- 182-6919
- Tillv. art.nr:
- DMP45H150DHE-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (1 rulle med 2500 enheter)*
4 502,50 kr
(exkl. moms)
5 627,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 2 500 enhet(er) levereras från den 07 juli 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 1,801 kr | 4 502,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 182-6919
- Tillv. art.nr:
- DMP45H150DHE-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 0.25A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 450V | |
| Serie | DMP | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 150mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 1.8nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 59.4W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 3.55mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.55mm | |
| Höjd | 1.65mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 0.25A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 450V | ||
Serie DMP | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 150mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 1.8nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 59.4W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 3.55mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.55mm | ||
Höjd 1.65mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Denna 450 V-förbättringsläge P-kanal MOSFET ger användare en konkurrenskraftig specifikation som erbjuder effektiv effekthanteringskapacitet, hög impedans och är fri från termisk runaway och termiskt inducerad sekundär avbrott. Användningsområden som dra nytta av denna enhet inkluderar en mängd olika telekom- och allmänna högspänningskopplingskretsar.
Låg grinddrivning
Låg ingångskapacitans
Snabb växlingshastighet
Helt blyfri
Halogen- och antimonfri. Grön enhet
Användningsområden
Lastväxling
Avbrottsfritt nätaggregat
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 0.25 A 450 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, DMP AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 450 mA 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223 AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q104, AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 75 mA 450 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223 AEC-Q104, AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 140 mA 450 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223 AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 18.2 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 150 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMP AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 21 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMP AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 8.7 A 12 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMP AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101