DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 4.4 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

10 007,50 kr

(exkl. moms)

12 510,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 21 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +4,003 kr10 007,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
169-7465
Tillv. art.nr:
DMN6066SSD-13
Tillverkare / varumärke:
DiodesZetex
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

DiodesZetex

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

4.4A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

SOIC

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

97mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

0.89V

Minsta arbetsstemperatur

150°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

5.4nC

Maximal effektförlust Pd

2.14W

Transistorkonfiguration

Isolerad

Maximal arbetstemperatur

-55°C

Höjd

1.5mm

Längd

5mm

Standarder/godkännanden

MIL-STD-202, AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
CN

Dubbel N-kanal MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET-transistorer, inbyggda dioder


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.