DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 4.4 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

10 270,00 kr

(exkl. moms)

12 837,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 17 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +4,108 kr10 270,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
169-7465
Tillv. art.nr:
DMN6066SSD-13
Tillverkare / varumärke:
DiodesZetex
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

DiodesZetex

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

4.4A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

SOIC

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

97mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

2.14W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

5.4nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

0.89V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Transistorkonfiguration

Isolerad

Längd

5mm

Höjd

1.5mm

Standarder/godkännanden

MIL-STD-202, AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
CN

Dubbel N-kanal MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET-transistorer, inbyggda dioder


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.