DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 7.6 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

132,825 kr

(exkl. moms)

166,025 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
25 +5,313 kr132,83 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
823-3223
Tillv. art.nr:
DMN2041LSD-13
Tillverkare / varumärke:
DiodesZetex
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

DiodesZetex

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

7.6A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Kapseltyp

SOIC

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

41mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

7.2nC

Framåtriktad spänning Vf

0.7V

Maximal effektförlust Pd

1.16W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Transistorkonfiguration

Isolerad

Höjd

1.5mm

Längd

4.95mm

Standarder/godkännanden

MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020, UL 94V-0

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

AEC-Q101

Dubbel N-kanal MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET-transistorer, inbyggda dioder


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.