Infineon 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 7.3 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
RS-artikelnummer:
168-7933
Tillv. art.nr:
IRF7389TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ P, Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

7.3A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

SOIC

Serie

HEXFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

98mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

22nC

Framåtriktad spänning Vf

780mV

Maximal effektförlust Pd

2.5W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20V, +20V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Transistorkonfiguration

Isolerad

Bredd

4mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

5mm

Höjd

1.5mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

Power MOSFET med dubbla N/P-kanaler, Infineon


Infineons MOSFET:er med dubbel effekt integrerar två HEXFET®-enheter för att ge platsbesparande, kostnadseffektiva switchlösningar i konstruktioner med hög komponenttäthet där kortutrymmet är begränsat. En mängd olika förpackningsalternativ finns tillgängliga och konstruktörerna kan välja konfigurationen Dual N/P-channel.

MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.