Infineon 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 3.4 A 55 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET

RS-artikelnummer:: 124-8750
Tillv. art.nr:: IRF7342TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 3.4 A 55 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET

Antal (1 rulle med 4000 enheter)*

22 228,00 kr

(exkl. moms)

27 784,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 11 januari 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
4000 +	5,557 kr	22 228,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 124-8750
Tillv. art.nr:: IRF7342TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	Typ P
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	3.4A
	Maximal källspänning för dränering Vds	55V
	Serie	HEXFET
	Kapseltyp	SOIC
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	170mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Framåtriktad spänning Vf	-1.2V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	2W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	26nC
	Transistorkonfiguration	Isolerad
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Längd	5mm
	Bredd	4mm
	Standarder/godkännanden	No
	Höjd	1.5mm
	Antal element per chip	2
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp Typ P
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3.4A
	Maximal källspänning för dränering Vds 55V
	Serie HEXFET
	Kapseltyp SOIC
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 170mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Framåtriktad spänning Vf -1.2V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 2W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 26nC
	Transistorkonfiguration Isolerad
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Längd 5mm
	Bredd 4mm
	Standarder/godkännanden No
	Höjd 1.5mm
	Antal element per chip 2
	Fordonsstandard Nej

COO (ursprungsland):: CN

Infineon HEXFET-serien MOSFET, 3,4 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 2 W maximal effektförlust - IRF7342TRPBF

Denna effekt-MOSFET är avsedd för effektiv strömhantering i olika elektroniska enheter. Med en P-kanalkonfiguration är den lämplig för högpresterande omkopplings- och förstärkningsoperationer. Dess robusta specifikationer uppfyller de väsentliga kraven för ingenjörer och konstruktörer inom automations- och elsektorerna.

Funktioner & fördelar

• Maximal kontinuerlig dräneringsström på 3.4 A

• Drain-source-spänningstolerans på upp till 55 V

• Ytmonterad design möjliggör enkla installationer

• Lågt maximalt drain-source-motstånd förbättrar energieffektiviteten

• Grindtröskelspänning på 1 V främjar tillförlitlig omkoppling

Användningsområden

• Strömhanteringskretsar för förbättrad energianvändning

• Automationsutrustning som kräver robusta omkopplingsmöjligheter

• Lämplig för motorstyrningssystem

• Används i strömomvandlare för elektronik

• Vanliga i batterihanteringssystem

Vilka är de termiska gränserna för drift?

Den fungerar effektivt inom ett temperaturområde på -55 °C till +150 °C, vilket säkerställer tillförlitlighet i olika miljöer.

Hur förbättrar denna komponent kretsens effektivitet?

Det låga Rds(on)-värdet minskar effektförlusten under drift, vilket förbättrar den övergripande kretsens effektivitet.

Kan denna MOSFET hantera pulserande strömmar?

Ja, den kan rymma pulserande dräneringsströmmar på upp till 27 A, lämplig för transientförhållanden.

Vilken typ av förpackning finns den i?

Den finns tillgänglig i ett SO-8-paket för ytmontering, vilket optimerar layoutflexibilitet och tillverkningsprocesser.

Finns det en specifik grindspänning för optimal prestanda?

Grind-till-källspänningen bör helst bibehållas på ±20 V för optimal prestanda och lång livslängd för enheten.