Sök efter MPN

Infineon N Kanal, MOSFET, 7.3 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET

RS-artikelnummer:: 827-3877
Distrelec artikelnummer:: 304-44-453
Tillv. art.nr:: IRF7495TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 7.3 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET

Mängdrabatt möjlig

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

157,25 kr

(exkl. moms)

196,56 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

3 990 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
10 - 40	15,725 kr	157,25 kr
50 - 90	14,941 kr	149,41 kr
100 - 240	14,314 kr	143,14 kr
250 - 490	13,373 kr	133,73 kr
500 +	12,578 kr	125,78 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 827-3877
Distrelec artikelnummer:: 304-44-453
Tillv. art.nr:: IRF7495TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	7.3A
	Maximal källspänning för dränering Vds	100V
	Kapseltyp	SOIC
	Serie	HEXFET
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	22mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf	1.3V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Maximal effektförlust Pd	2.5W
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	34nC
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Längd	5mm
	Bredd	4mm
	Höjd	1.5mm
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 7.3A
	Maximal källspänning för dränering Vds 100V
	Kapseltyp SOIC
	Serie HEXFET
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 22mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf 1.3V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Maximal effektförlust Pd 2.5W
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 34nC
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Längd 5mm
	Bredd 4mm
	Höjd 1.5mm
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard Nej

COO (ursprungsland):: TH

N-kanals effekt-MOSFET 100V, Infineon

Infineons sortiment av diskreta HEXFET® power MOSFETs omfattar N-kanals enheter i ytmonterade och blyade kapslingar. Och formfaktorer som kan hantera nästan alla utmaningar när det gäller kortlayout och termisk design. Hela sortimentets riktmärke för motstånd minskar ledningsförlusterna, vilket gör det möjligt för konstruktörerna att leverera optimal systemeffektivitet.

MOSFET-transistorer, Infineon

Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.