Sök efter MPN

Infineon 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 3.5 A 25 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET

RS-artikelnummer:: 826-8829
Distrelec artikelnummer:: 304-44-450
Tillv. art.nr:: IRF7105TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 3.5 A 25 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET

Mängdrabatt möjlig

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

139,22 kr

(exkl. moms)

174,02 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

6 500 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
20 - 180	6,961 kr	139,22 kr
200 - 480	6,614 kr	132,28 kr
500 - 980	6,339 kr	126,78 kr
1000 - 1980	5,908 kr	118,16 kr
2000 +	5,567 kr	111,34 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 826-8829
Distrelec artikelnummer:: 304-44-450
Tillv. art.nr:: IRF7105TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ P, Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	3.5A
	Maximal källspänning för dränering Vds	25V
	Kapseltyp	SOIC
	Serie	HEXFET
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	400mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal effektförlust Pd	2W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	10nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Transistorkonfiguration	Isolerad
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Höjd	1.5mm
	Längd	5mm
	Standarder/godkännanden	No
	Bredd	4mm
	Antal element per chip	2
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ P, Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3.5A
	Maximal källspänning för dränering Vds 25V
	Kapseltyp SOIC
	Serie HEXFET
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 400mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal effektförlust Pd 2W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 10nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Transistorkonfiguration Isolerad
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Höjd 1.5mm
	Längd 5mm
	Standarder/godkännanden No
	Bredd 4mm
	Antal element per chip 2
	Fordonsstandard Nej

COO (ursprungsland):: CN

Power MOSFET med dubbla N/P-kanaler, Infineon

Infineons MOSFET:er med dubbel effekt integrerar två HEXFET®-enheter för att ge platsbesparande, kostnadseffektiva switchlösningar i konstruktioner med hög komponenttäthet där kortutrymmet är begränsat. En mängd olika förpackningsalternativ finns tillgängliga och konstruktörerna kan välja konfigurationen Dual N/P-channel.

MOSFET-transistorer, Infineon

Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.