Sök efter MPN

Infineon 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 4 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET

RS-artikelnummer:: 826-8866
Distrelec artikelnummer:: 304-44-451
Tillv. art.nr:: IRF7309TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 4 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET

Mängdrabatt möjlig

Visa alternativ för volympriser

Antal (20 enheter, i en förpackning med 20)*

118,28 kr

(exkl. moms)

147,84 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

4 800 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
20 - 80	5,914 kr	118,28 kr
100 - 180	4,79 kr	95,80 kr
200 - 480	4,495 kr	89,90 kr
500 - 980	4,146 kr	82,92 kr
1000 +	2,898 kr	57,96 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 826-8866
Distrelec artikelnummer:: 304-44-451
Tillv. art.nr:: IRF7309TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	Typ N, Typ P
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	4A
	Maximal källspänning för dränering Vds	30V
	Serie	HEXFET
	Kapseltyp	SOIC
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	80mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-20V, +20V
	Maximal effektförlust Pd	1.4W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	16.7nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	1V
	Transistorkonfiguration	Isolerad
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Bredd	4mm
	Standarder/godkännanden	No
	Höjd	1.5mm
	Längd	5mm
	Antal element per chip	2
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp Typ N, Typ P
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4A
	Maximal källspänning för dränering Vds 30V
	Serie HEXFET
	Kapseltyp SOIC
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 80mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V
	Maximal effektförlust Pd 1.4W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 16.7nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf 1V
	Transistorkonfiguration Isolerad
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Bredd 4mm
	Standarder/godkännanden No
	Höjd 1.5mm
	Längd 5mm
	Antal element per chip 2
	Fordonsstandard Nej

Power MOSFET med dubbla N/P-kanaler, Infineon

Infineons MOSFET:er med dubbel effekt integrerar två HEXFET®-enheter för att ge platsbesparande, kostnadseffektiva switchlösningar i konstruktioner med hög komponenttäthet där kortutrymmet är begränsat. En mängd olika förpackningsalternativ finns tillgängliga och konstruktörerna kan välja konfigurationen Dual N/P-channel.

MOSFET-transistorer, Infineon

Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.