Infineon N Kanal, MOSFET, 86 A 60 V Förbättring, 4 Ben, MN, DirectFET, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 168-5958
- Tillv. art.nr:
- IRF6648TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (4800 enheter, på en rulle med 4800)*
42 835,20 kr
(exkl. moms)
53 544,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 05 oktober 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 4800 + | 8,924 kr | 42 835,20 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 168-5958
- Tillv. art.nr:
- IRF6648TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 86A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | DirectFET, HEXFET | |
| Kapseltyp | MN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 7mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal effektförlust Pd | 89W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 36nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 5.05mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 500μm | |
| Längd | 6.35mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 86A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie DirectFET, HEXFET | ||
Kapseltyp MN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 7mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal effektförlust Pd 89W | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 36nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 5.05mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 500μm | ||
Längd 6.35mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
DirectFET® effekt-MOSFET, Infineon
DirectFET®
Industrins lägsta påslagningsresistans i deras respektive fotavtryck
Extremt låg kapslingsresistans för att minimera ledningsförluster
Mycket effektiv dubbelsidig kylning förbättrar effekttätheten, kostnaden och tillförlitligheten avsevärt
Låg profil på endast 0,7 mm
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 86 A 60 V Förbättring, 4 Ben, MN, DirectFET, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 375 A 60 V Förbättring, 15 Ben, DirectFET, DirectFET, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 81 A 20 V Förbättring, 2 Ben, DirectFET, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 150 A 20 V Förbättring, 2 Ben, DirectFET, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 19 A 200 V Förbättring, 7 Ben, DirectFET, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 55 A 80 V Förbättring, 7 Ben, DirectFET, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 68 A 60 V Förbättring, 9 Ben, DirectFET, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 21 A 60 V Förbättring, 6 Ben, DirectFET, HEXFET