Infineon N Kanal, MOSFET, 124 A 100 V Förbättring, DirectFET, HEXFET

RS-artikelnummer:: 257-9318
Tillv. art.nr:: IRF7769L1TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 124 A 100 V Förbättring, DirectFET, HEXFET

Antal (1 enhet)*

34,86 kr

(exkl. moms)

43,58 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

3 943 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet
1 +	34,86 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 257-9318
Tillv. art.nr:: IRF7769L1TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	124A
	Maximal källspänning för dränering Vds	100V
	Serie	HEXFET
	Kapseltyp	DirectFET
	Typ av fäste	Genomgående hål
	Maximal drain-källresistans Rds	3.50mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf	1.3V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal arbetstemperatur	+175°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 124A
	Maximal källspänning för dränering Vds 100V
	Serie HEXFET
	Kapseltyp DirectFET
	Typ av fäste Genomgående hål
	Maximal drain-källresistans Rds 3.50mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf 1.3V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal arbetstemperatur +175°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - IRF7769L1TRPBF

Infineon HEXFET-serien MOSFET, 100 V maximal drain-source-spänning, 124 A maximal kontinuerlig drain-ström - IRF7769L1TRPBF

Denna MOSFET är en N-kanalförstärkningsenhet med genomgående hål som är utformad för högströmsomkoppling i krävande elektriska system. Den fungerar i ett brett temperaturområde som är lämpligt för industriella förhållanden och uppfyller RoHS-miljöbegränsningar. Komponenten levereras i ett DirectFET-paket avsett för tillämpningar som kräver effektiv värmehantering och integrering av kompakta kort.

Funktioner och fördelar:

• 3,50 mΩ RDS(on) minskar ledningsförluster för högre effektivitet
• 100 V VDS möjliggör drift i topologier med medelhög spänning
• 124 A kontinuerlig dräneringsström med stöd för hög strömförsörjning
• VF 1,3 V framspänning ger exakt gate-to-source-styrning
• Temperaturområde -55 °C till +175 °C säkerställer utökad värmetolerans

Användningsområden

• Lämplig för strömförsörjning och motorstyrningssystem
• Används med högströms DC-strömfördelningsrack
• Idealisk för industriella omvandlar- och växelriktare
• Kan användas för batterihantering och laddningsreglering

Vilken typ av förpackning används för termisk hantering?

Den använder ett DirectFET-paket för att underlätta låg termisk resistans och effektiv värmeöverföring.

Vilken monteringsmetod krävs?

Enheten är utformad för genomgående hålmontering för att ge en robust mekanisk och termisk anslutning.

Är enheten lämplig för fordonskvalifikationer?

Det är inte specificerat som en fordonsstandarddel och bör därför utvärderas mot fordonsspecifika krav.

Vilken kanalpolaritet och vilket läge implementeras?

Delen är en N-kanal-enhet som drivs i förstärkningsläge, lämplig för vanliga high-side- eller low-side-omkopplare.

Uppfyller komponenten miljödirektiven?

Den är RoHS-kompatibel, vilket indikerar begränsning av vissa farliga ämnen.