IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 600 V Förbättring, 3 Ben, PLUS264, HiperFET, Polar3

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rör med 25 enheter)*

5 767,775 kr

(exkl. moms)

7 209,725 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 20 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
25 +230,711 kr5 767,78 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
168-4726
Tillv. art.nr:
IXFB110N60P3
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

IXYS

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

110A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Serie

HiperFET, Polar3

Kapseltyp

PLUS264

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

56mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

1.89kW

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

245nC

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

26.59mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

20.29mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™-serien


Ett sortiment av IXYS Polar3™-serie N-kanaliga Power MOSFETs med snabb inbyggd diod (HiPerFET™)

MOSFET-transistorer, IXYS


Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS

Relaterade länkar