IXYS N Kanal, MOSFET, 64 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-264, HiperFET, Polar3

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

153,20 kr

(exkl. moms)

191,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 55 enhet(er) från den 07 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 4153,20 kr
5 - 9140,79 kr
10 - 24134,51 kr
25 - 99121,18 kr
100 +109,38 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
802-4408
Distrelec artikelnummer:
302-53-352
Tillv. art.nr:
IXFK64N60P3
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

IXYS

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

64A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

TO-264

Serie

HiperFET, Polar3

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

95mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Maximal effektförlust Pd

1.13kW

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

145nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

19.96mm

Bredd

5.13mm

Höjd

26.16mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™-serien


Ett sortiment av IXYS Polar3™-serie N-kanaliga Power MOSFETs med snabb inbyggd diod (HiPerFET™)

MOSFET-transistorer, IXYS


Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.