IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 850 V Förbättring, 3 Ben, PLUS264, HiperFET
- RS-artikelnummer:
- 146-4383
- Distrelec artikelnummer:
- 302-53-305
- Tillv. art.nr:
- IXFB90N85X
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
316,62 kr
(exkl. moms)
395,78 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 21 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 4 | 316,62 kr |
| 5 - 9 | 300,94 kr |
| 10 + | 292,88 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 146-4383
- Distrelec artikelnummer:
- 302-53-305
- Tillv. art.nr:
- IXFB90N85X
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | IXYS | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 90A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 850V | |
| Kapseltyp | PLUS264 | |
| Serie | HiperFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 41mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.79kW | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 340nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.4V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 20.29mm | |
| Höjd | 26.59mm | |
| Bredd | 5.31mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke IXYS | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 90A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 850V | ||
Kapseltyp PLUS264 | ||
Serie HiperFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 41mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal effektförlust Pd 1.79kW | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 340nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.4V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 20.29mm | ||
Höjd 26.59mm | ||
Bredd 5.31mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
850 V Ultra-Junction X-Class Power MOSFET med snabba kroppsdioder representerar en ny produktlinje för effekthalvledare från IXYS Corporation. Dessa robusta enheter visar de lägsta on-state-motstånden i branschen, vilket möjliggör mycket hög effekttäthet i tillämpningar för högspänningsomvandling. Utvecklade med hjälp av laddningskompensationsprincipen och proprietär processteknik, de nya 850 V-enheterna uppvisar de lägsta on-state-motstånden (33 milliohm i SOT-227-kapseln och 41 milliohm i PLUS264, till exempel), tillsammans med låga grindladdningar och överlägsen dv/dt-prestanda.
Ultralåg påslagningsresistans RDS(ON) och grindladdning Qg
Fast Body-diod
dv/dt-tålighet
Avalanche-klassad
Låg induktans i paketet
Internationella standardpaket
Relaterade länkar
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 850 V Förbättring, 3 Ben, PLUS264, HiperFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 850 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 132 A 500 V Förbättring, 3 Ben, PLUS264, HiperFET, Polar3
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 210 A 300 V Förbättring, 3 Ben, PLUS264, HiperFET, Polar3
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 600 V Förbättring, 3 Ben, PLUS264, HiperFET, Polar3
- IXYS 1 Typ N Kanal Enkel, MOSFET, 82 A 600 V Förbättring, 3 Ben, PLUS264, HiperFET, Q3-Class
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 850 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 66 A 850 V Förbättring, 3 Ben, TO-264, HiperFET