IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 600 V Förbättring, 3 Ben, PLUS247, HiperFET, Polar3

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 enhet)*

167,38 kr

(exkl. moms)

209,22 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 31 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 +167,38 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
802-4502
Distrelec artikelnummer:
302-53-410
Tillv. art.nr:
IXFX80N60P3
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

IXYS

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

80A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

PLUS247

Serie

HiperFET, Polar3

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

70mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

1.3kW

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

190nC

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

5.21 mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

21.34mm

Längd

16.13mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™-serien


Ett sortiment av IXYS Polar3™-serie N-kanaliga Power MOSFETs med snabb inbyggd diod (HiPerFET™)

MOSFET-transistorer, IXYS


Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS

Relaterade länkar

Recently viewed