IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 210 A 300 V Förbättring, 3 Ben, PLUS264, HiperFET, Polar3

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

333,87 kr

(exkl. moms)

417,34 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 4 enhet(er) är redo att levereras
  • Dessutom levereras 2 enhet(er) från den 05 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 12333,87 kr
13 +291,54 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
802-4357
Distrelec artikelnummer:
302-53-302
Tillv. art.nr:
IXFB210N30P3
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

IXYS

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

210A

Maximal källspänning för dränering Vds

300V

Serie

HiperFET, Polar3

Kapseltyp

PLUS264

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

14.5mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

268nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal effektförlust Pd

1.89kW

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

26.59mm

Bredd

5.31 mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

20.29mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™-serien


Ett sortiment av IXYS Polar3™-serie N-kanaliga Power MOSFETs med snabb inbyggd diod (HiPerFET™)

MOSFET-transistorer, IXYS


Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS

Relaterade länkar

Recently viewed