IXYS N Kanal, MOSFET, 178 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, Linear L2

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rör med 10 enheter)*

6 273,01 kr

(exkl. moms)

7 841,26 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 19 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
10 +627,301 kr6 273,01 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
168-4584
Tillv. art.nr:
IXTN200N10L2
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

IXYS

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

178A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Serie

Linear L2

Kapseltyp

SOT-227

Typ av fäste

Yta

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

11mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

830W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

540nC

Framåtriktad spänning Vf

1.4V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

25.07mm

Höjd

9.6mm

Längd

38.23mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
PH

N-kanals effekt-MOSFET, IXYS Linear-serien


N-kanaliga Power MOSFETs speciellt konstruerade för linjär drift. Dessa enheter har utökat FBSOA (Forward Bias Safe Operating Area) för ökad robusthet och tillförlitlighet.

MOSFET-transistorer, IXYS


Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.