DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 7.5 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOT, DMG AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 165-8744
- Tillv. art.nr:
- DMG6402LVT-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
2 244,00 kr
(exkl. moms)
2 805,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 18 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,748 kr | 2 244,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 165-8744
- Tillv. art.nr:
- DMG6402LVT-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 7.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | TSOT | |
| Serie | DMG | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 42mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.75W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 11.4nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 2.9mm | |
| Höjd | 0.9mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 7.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp TSOT | ||
Serie DMG | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 42mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 1.75W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 11.4nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 2.9mm | ||
Höjd 0.9mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
N-kanal MOSFET, 30 V, Diodes Inc
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 7.5 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOT, DMG AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DMG AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 12 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DMG AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, N-kanals MOSFET, 4 A 650 V Förbättring, 3 Ben, ITO-220, DMG AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 6.5 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMG AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 3.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMG AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 4 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMG AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 4.8 A 45 V Förbättring, 6 Ben, TSOT, DMN AEC-Q101