DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 4.8 A 45 V Förbättring, 6 Ben, TSOT, DMN AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 770-5137
- Tillv. art.nr:
- DMN4060SVT-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 25 enheter)*
86,025 kr
(exkl. moms)
107,525 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 44 875 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 125 | 3,441 kr | 86,03 kr |
| 150 - 725 | 2,025 kr | 50,63 kr |
| 750 - 1475 | 1,792 kr | 44,80 kr |
| 1500 + | 1,568 kr | 39,20 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 770-5137
- Tillv. art.nr:
- DMN4060SVT-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4.8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 45V | |
| Serie | DMN | |
| Kapseltyp | TSOT | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 62mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.8W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 22.4nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 2.9mm | |
| Höjd | 0.9mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4.8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 45V | ||
Serie DMN | ||
Kapseltyp TSOT | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 62mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 1.8W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 22.4nC | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 2.9mm | ||
Höjd 0.9mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
N-kanal MOSFET, 40 V till 90 V, Diodes Inc
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 4.8 A 45 V Förbättring, 6 Ben, TSOT, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 4.6 A 20 V Förbättring, 6 Ben, TSOT-26, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 5.3 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 9.8 A 12 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TSSOP, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 130 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 150 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, DMN AEC-Q101