DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 4 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMG AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 182-6879
- Tillv. art.nr:
- DMG3415U-7-57
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 3000 enheter)*
3 219,00 kr
(exkl. moms)
4 023,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 3 000 enhet(er) levereras från den 23 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | 1,073 kr | 3 219,00 kr |
| 9000 - 12000 | 1,032 kr | 3 096,00 kr |
| 15000 + | 1,006 kr | 3 018,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 182-6879
- Tillv. art.nr:
- DMG3415U-7-57
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | DMG | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 71mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 8V | |
| Maximal effektförlust Pd | 900mW | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 9.1nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 3mm | |
| Bredd | 1.4mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie DMG | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 71mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 8V | ||
Maximal effektförlust Pd 900mW | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 9.1nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 3mm | ||
Bredd 1.4mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Denna nya generation MOSFET är utformad för att minimera på-motståndet (RDS(ON)) och ändå bibehålla överlägsen omkopplingsprestanda, vilket gör den idealisk för högeffektiva strömhanteringstillämpningar.
Lågt motstånd vid tändning
Låg ingångskapacitans
Snabb växlingshastighet
Lågt ingångs-/utgångsläckage
ESD-skyddad upp till 3 kV
Helt blyfri
Halogen- och antimonfri. Grön enhet.
PPAP-kapacitet
Användningsområden
DC/DC-omvandlare
Strömhanteringsfunktioner
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 4 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMG AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 3.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMG AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 6.5 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMG AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 12 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DMG AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 1.1 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 90 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 1.6 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 900 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101