DiodesZetex Typ N Kanal, N-kanals MOSFET, 4 A 650 V Förbättring, 3 Ben, ITO-220, DMG AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 169-7185
- Tillv. art.nr:
- DMG9N65CTI
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (1 rör med 50 enheter)*
529,20 kr
(exkl. moms)
661,50 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 + | 10,584 kr | 529,20 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 169-7185
- Tillv. art.nr:
- DMG9N65CTI
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | N-kanals MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | ITO-220 | |
| Serie | DMG | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 13.5nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 8.35W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 16.07mm | |
| Höjd | 16.07mm | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101, RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp N-kanals MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp ITO-220 | ||
Serie DMG | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 13.5nC | ||
Maximal effektförlust Pd 8.35W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 16.07mm | ||
Höjd 16.07mm | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101, RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
N-kanal MOSFET, 100 V till 950 V, Diodes Inc
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 7.5 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOT, DMG AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DMG AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 6.5 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMG AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 12 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DMG AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 3.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMG AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 4 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMG AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal Typ N Kanal, MOSFET, 51 A 650 V N, 7 Ben, HU3PAK, STHU65 AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 26 A 650 V N, 7 Ben, HU3PAK, STHU65N1 AEC-Q101