DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 12 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DMG AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 751-4102
- Tillv. art.nr:
- DMG4413LSS-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
79,92 kr
(exkl. moms)
99,90 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 1 540 enhet(er) levereras från den 07 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 20 | 7,992 kr | 79,92 kr |
| 30 - 120 | 6,561 kr | 65,61 kr |
| 130 - 620 | 5,762 kr | 57,62 kr |
| 630 - 1240 | 5,059 kr | 50,59 kr |
| 1250 + | 4,268 kr | 42,68 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 751-4102
- Tillv. art.nr:
- DMG4413LSS-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 12A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Serie | DMG | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 10.2mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.2W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 46nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Längd | 4.95mm | |
| Bredd | 3.95mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 12A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Serie DMG | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 10.2mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 2.2W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 46nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.5mm | ||
Längd 4.95mm | ||
Bredd 3.95mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
P-kanal MOSFET, 30 V, Diodes Inc
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 12 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DMG AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DMG AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 3.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMG AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 4 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMG AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 11.4 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 160 mA 12 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 4.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DMP65H AEC-Q101
