DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 12 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DMG AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 751-4102
- Tillv. art.nr:
- DMG4413LSS-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
93,41 kr
(exkl. moms)
116,76 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 20 | 9,341 kr | 93,41 kr |
| 30 - 120 | 7,672 kr | 76,72 kr |
| 130 - 620 | 6,731 kr | 67,31 kr |
| 630 - 1240 | 5,925 kr | 59,25 kr |
| 1250 + | 4,984 kr | 49,84 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 751-4102
- Tillv. art.nr:
- DMG4413LSS-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 12A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | DMG | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 10.2mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.2W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 46nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 4.95mm | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 12A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie DMG | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 10.2mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 2.2W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 46nC | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 4.95mm | ||
Höjd 1.5mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
P-kanal MOSFET, 30 V, Diodes Inc
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 12 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DMG AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DMG AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 3.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMG AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 4 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMG AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 160 mA 12 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 11.4 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 4.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DMP65H AEC-Q101