onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 6.7 A 20 V Förbättring, 8 Ben, ChipFET, NTK
- RS-artikelnummer:
- 163-1113
- Tillv. art.nr:
- NTHS4101PT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 163-1113
- Tillv. art.nr:
- NTHS4101PT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 6.7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | ChipFET | |
| Serie | NTK | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 52mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -8V, +8V | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 25nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.5W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Längd | 3.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 1.7mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6.7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp ChipFET | ||
Serie NTK | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 52mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -8V, +8V | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 25nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 2.5W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.1mm | ||
Längd 3.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 1.7mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
P-kanalig effekt-MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterade länkar
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 6.7 A 20 V Förbättring, 8 Ben, ChipFET, NTK
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 870 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-723, NTK
- onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 4.1 A 20 V Förbättring, 8 Ben, ChipFET
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 263 A 30 V P, 8 Ben, SO-8, NTK
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 6.7 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 6.7 A 12 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 9.9 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK ChipFET, Si5419DU
- Vishay 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 3.8 A 20 V Förbättring, 8 Ben, ChipFET, TrenchFET