onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 6.7 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench
- RS-artikelnummer:
- 809-0884
- Distrelec artikelnummer:
- 304-45-651
- Tillv. art.nr:
- FDD4243
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
62,05 kr
(exkl. moms)
77,56 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Begränsat lager
- 1 630 kvar, redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 6,205 kr | 62,05 kr |
| 100 - 240 | 5,354 kr | 53,54 kr |
| 250 - 490 | 4,648 kr | 46,48 kr |
| 500 - 990 | 4,077 kr | 40,77 kr |
| 1000 + | 3,707 kr | 37,07 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 809-0884
- Distrelec artikelnummer:
- 304-45-651
- Tillv. art.nr:
- FDD4243
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 6.7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 69mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 21nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.86V | |
| Maximal effektförlust Pd | 42W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 2.39mm | |
| Längd | 6.73mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6.7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie PowerTrench | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 69mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 21nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.86V | ||
Maximal effektförlust Pd 42W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 2.39mm | ||
Längd 6.73mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
P-kanal MOSFET för fordonsindustrin, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor tillhandahåller lösningar som löser komplexa utmaningar på fordonsmarknaden med en grundlig kunskap om kvalitets-, säkerhets- och tillförlitlighetsstandarder.
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 6.7 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 6.7 A 12 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, PowerTrench MOSFET, 50 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 8.4 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 55 A 35 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 11 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 21 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench