onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 4.1 A 20 V Förbättring, 8 Ben, ChipFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 längd med 25 enheter)*

260,30 kr

(exkl. moms)

325,38 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 30 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per tejp*
25 - 7510,412 kr260,30 kr
100 - 2258,978 kr224,45 kr
250 +7,777 kr194,43 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
780-0589
Tillv. art.nr:
NTHD4102PT1G
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Kanaltyp

Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

4.1A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Kapseltyp

ChipFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

170mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

7.6nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

2.1W

Framåtriktad spänning Vf

-0.8V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-8V, +8V

Transistorkonfiguration

Isolerad

Maximal arbetstemperatur

+150°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1.1mm

Bredd

1.7mm

Längd

3.1mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

Dubbel P-kanal MOSFET, ON Semiconductor


MOSFET-transistorer, ON Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.