onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 263 A 30 V P, 8 Ben, SO-8, NTK
- RS-artikelnummer:
- 229-6465
- Tillv. art.nr:
- NTMFS002P03P8ZT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
179,31 kr
(exkl. moms)
224,14 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 3 000 enhet(er) levereras från den 09 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 35,862 kr | 179,31 kr |
| 50 - 95 | 30,912 kr | 154,56 kr |
| 100 + | 26,79 kr | 133,95 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 229-6465
- Tillv. art.nr:
- NTMFS002P03P8ZT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 263A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | NTK | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.4mΩ | |
| Kanalläge | P | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 217nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 138.9W | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.3V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 5.3mm | |
| Längd | 6.3mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 263A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie NTK | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.4mΩ | ||
Kanalläge P | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 217nC | ||
Maximal effektförlust Pd 138.9W | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.3V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 5.3mm | ||
Längd 6.3mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ON Semiconductor N-kanals effekt-MOSFET har ultralåg påslagningsresistans. Den har 226 A dräneringsström. Den används i strömbrytare och batterihantering.
Förbättra systemets effektivitet
Sparar utrymme
Utmärkt värmeledningsförmåga
Blyfria
Halogenfri/BFR-fri
Relaterade länkar
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 263 A 30 V P, 8 Ben, SO-8, NTK
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 6.7 A 20 V Förbättring, 8 Ben, ChipFET, NTK
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 870 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-723, NTK
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 79 A 120 V P, 8 Ben, SO-8, NTMF
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 164 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8FL, NTMFS
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 3.44 A 60 V P, 8 Ben, SO-8
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET -20 V, 8 Ben, SO-8, IRF7425
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 5 A, 8 Ben, SO-8, HEXFET