onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 6.7 A 12 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

99,68 kr

(exkl. moms)

124,60 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 290 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 909,968 kr99,68 kr
100 - 2408,602 kr86,02 kr
250 - 4907,459 kr74,59 kr
500 - 9906,541 kr65,41 kr
1000 +5,97 kr59,70 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
759-9065
Tillv. art.nr:
FDD306P
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Kanaltyp

Typ P

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

6.7A

Maximal källspänning för dränering Vds

12V

Kapseltyp

TO-252

Serie

PowerTrench

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

90mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

-1.2V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

15nC

Maximal effektförlust Pd

52W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

2.39mm

Längd

6.73mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

PowerTrench® MOSFET med P-kanal, Fairchild Semiconductor


PowerTrench® MOSFETs är optimerade strömbrytare som ger ökad systemeffektivitet och effekttäthet. De kombinerar liten grindladdning (Qg), liten omvänd återhämtningsladdning (Qrr) och mjuk omvänd återhämtningsdiod, vilket bidrar till snabb växling av synkron likriktning i AC/DC-strömförsörjningar.

De senaste PowerTrench® MOSFET:erna har en struktur med avskärmad grind som ger laddningsbalans. Tack vare denna avancerade teknik är FOM (Figure of Merit) för dessa enheter betydligt lägre än för tidigare generationer.

PowerTrench® MOSFET:ernas prestanda med mjuk diod kan eliminera snubberkretsar eller ersätta en MOSFET med högre spänning.

MOSFET-transistorer, ON Semi


ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.

ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.

Relaterade länkar