Infineon N Kanal, MOSFET, 3.2 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-89, OptiMOS 3 AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1000 enheter, på en rulle med 1000)*

2 382,00 kr

(exkl. moms)

2 978,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 1 000 enhet(er) levereras från den 18 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 - 10002,382 kr2 382,00 kr
2000 - 40002,263 kr2 263,00 kr
5000 +2,12 kr2 120,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
145-8766
Tillv. art.nr:
BSS606NH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

3.2A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Serie

OptiMOS 3

Kapseltyp

SOT-89

Typ av fäste

Yta

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

90mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20V, +20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

3.7nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

1W

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

4.5mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

2.5mm

Höjd

1.5mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
MY

Infineon OptiMOS 3-serien MOSFET, 60 V maximal drain-källspänning, 3,2 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSS606NH6327XTSA1


Denna n-kanals MOSFET är en ytmonterad halvledare som är utformad för att styra och omkoppla DC-ström i kompakta elektroniska system. Den fungerar över ett brett temperaturområde som är lämpligt för krävande miljöer och är avsedd för tillämpningar som kräver medelspänningskoppling med blygsam kontinuerlig strömkapacitet. Enheten levereras i ett litet SOT-89-paket skräddarsytt för kretskortsmonterade effektsteg.

Funktioner och fördelar:


• 60 V drain-source-hållspänning möjliggör säker omkoppling vid medelspänning
• 90 mΩ låg RDS(on) minskar ledningsförluster i strömkanaler
• Kontinuerlig dräneringsström på 3.2 A stöder drift av måttlig belastning
• 1,1 V framspänning minimerar spänningsfall i diodledningen
• 3,7 nC typisk grindladdning möjliggör effektiv omkopplingskontroll
• 20 V grindtolerans möjliggör flexibla grinddrivarspänningar

Användningsområden


• Lämplig för extra strömkretsar för fordon
• Idealisk för omkopplingssteg för DC/DC-omvandlare
• Används i gränssnitt för grinddrivare för motorstyrning
• Kan användas för lastväxling i telematikmoduler
• Lämplig för strömfördelning i inbäddade system

Vilka förpackningsmått och formfaktor använder den?


Komponenten levereras i ett kompakt ytmonterat SOT-89-hölje som mäter 4,5 x 2,5 x 1,5 mm för snäva kretskortslayouter.

Hur klarar den av extrema termiska miljöer?


Den är klassad för drift från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör drift i höga temperaturer och kalla klimat.

Vilken stiftkonfiguration och monteringsstil bör designers förvänta sig?


Delen har fyra stift och är avsedd för ytmontering, vilket förenklar placeringen i automatiserade monteringsprocesser.

Vilket kanalledningsläge använder den och hur påverkar det kretsbeteendet?


Den använder en N-typ-förbättringslägekanal, som kräver en positiv grinddrivning för att etablera ledning för typisk lågsidig omkoppling.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.