Infineon N Kanal, MOSFET, 3.2 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-89, OptiMOS 3 AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 50 enheter)*

270,80 kr

(exkl. moms)

338,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 50 enhet(er) från den 05 oktober 2026
  • Dessutom levereras 1 000 enhet(er) från den 18 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
50 - 505,416 kr270,80 kr
100 - 4503,387 kr169,35 kr
500 - 9503,208 kr160,40 kr
1000 - 24502,536 kr126,80 kr
2500 +2,231 kr111,55 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
110-7170
Distrelec artikelnummer:
304-36-979
Tillv. art.nr:
BSS606NH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

3.2A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

SOT-89

Serie

OptiMOS 3

Typ av fäste

Yta

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

90mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

1W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

3.7nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20V, +20V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

4.5mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

2.5mm

Höjd

1.5mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineon OptiMOS 3-serien MOSFET, 60 V maximal drain-källspänning, 3,2 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSS606NH6327XTSA1


Denna n-kanals MOSFET är en ytmonterad halvledare som är utformad för att styra och omkoppla DC-ström i kompakta elektroniska system. Den fungerar över ett brett temperaturområde som är lämpligt för krävande miljöer och är avsedd för tillämpningar som kräver medelspänningskoppling med blygsam kontinuerlig strömkapacitet. Enheten levereras i ett litet SOT-89-paket skräddarsytt för kretskortsmonterade effektsteg.

Funktioner och fördelar:


• 60 V drain-source-hållspänning möjliggör säker omkoppling vid medelspänning
• 90 mΩ låg RDS(on) minskar ledningsförluster i strömkanaler
• Kontinuerlig dräneringsström på 3.2 A stöder drift av måttlig belastning
• 1,1 V framspänning minimerar spänningsfall i diodledningen
• 3,7 nC typisk grindladdning möjliggör effektiv omkopplingskontroll
• 20 V grindtolerans möjliggör flexibla grinddrivarspänningar

Användningsområden


• Lämplig för extra strömkretsar för fordon
• Idealisk för omkopplingssteg för DC/DC-omvandlare
• Används i gränssnitt för grinddrivare för motorstyrning
• Kan användas för lastväxling i telematikmoduler
• Lämplig för strömfördelning i inbäddade system

Vilka förpackningsmått och formfaktor använder den?


Komponenten levereras i ett kompakt ytmonterat SOT-89-hölje som mäter 4,5 x 2,5 x 1,5 mm för snäva kretskortslayouter.

Hur klarar den av extrema termiska miljöer?


Den är klassad för drift från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör drift i höga temperaturer och kalla klimat.

Vilken stiftkonfiguration och monteringsstil bör designers förvänta sig?


Delen har fyra stift och är avsedd för ytmontering, vilket förenklar placeringen i automatiserade monteringsprocesser.

Vilket kanalledningsläge använder den och hur påverkar det kretsbeteendet?


Den använder en N-typ-förbättringslägekanal, som kräver en positiv grinddrivning för att etablera ledning för typisk lågsidig omkoppling.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.