Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.8 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, OptiMOS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 110-7754
- Distrelec artikelnummer:
- 304-36-977
- Tillv. art.nr:
- BSP372NH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 50 enheter)*
464,25 kr
(exkl. moms)
580,30 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 800 enhet(er) från den 24 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 9,285 kr | 464,25 kr |
| 100 - 200 | 7,522 kr | 376,10 kr |
| 250 - 450 | 7,056 kr | 352,80 kr |
| 500 - 1200 | 6,595 kr | 329,75 kr |
| 1250 + | 6,035 kr | 301,75 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 110-7754
- Distrelec artikelnummer:
- 304-36-977
- Tillv. art.nr:
- BSP372NH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1.8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 270mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.8W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 9.5nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.6mm | |
| Längd | 6.5mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie OptiMOS | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 270mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 1.8W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 9.5nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.6mm | ||
Längd 6.5mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS™ MOSFETs för små signaler
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.8 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.2 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.8 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 5.2 A 55 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, OptiMOS AEC-Q
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 190 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 540 mA 55 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 mA 600 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 3.7 A 40 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, BSR AEC-Q101