Infineon 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 1.5 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOP-6, OptiMOS™ AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 110-7129
Distrelec artikelnummer:: 304-36-975
Tillv. art.nr:: BSL316CH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 1.5 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOP-6, OptiMOS™ AEC-Q101

Antal (60 enheter, i en förpackning med 60)*

164,52 kr

(exkl. moms)

205,68 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

30 900 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
60 +	2,742 kr	164,52 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 110-7129
Distrelec artikelnummer:: 304-36-975
Tillv. art.nr:: BSL316CH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ N, Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	1.5A
	Maximal källspänning för dränering Vds	30V
	Serie	OptiMOS™
	Kapseltyp	TSOP-6
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	6
	Maximal drain-källresistans Rds	280mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf	0.86V
	Maximal effektförlust Pd	500mW
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-20, +20V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	2.4nC
	Transistorkonfiguration	Isolerad
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Längd	2.9mm
	Höjd	1mm
	Bredd	1.6mm
	Standarder/godkännanden	No
	Antal element per chip	2
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ N, Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.5A
	Maximal källspänning för dränering Vds 30V
	Serie OptiMOS™
	Kapseltyp TSOP-6
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 6
	Maximal drain-källresistans Rds 280mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf 0.86V
	Maximal effektförlust Pd 500mW
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -20, +20V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 2.4nC
	Transistorkonfiguration Isolerad
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Längd 2.9mm
	Höjd 1mm
	Bredd 1.6mm
	Standarder/godkännanden No
	Antal element per chip 2
	Fordonsstandard AEC-Q101

Infineon OptiMOSTM-serien MOSFET, 30 V maximal drain-källspänning, 1,5 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSL316CH6327XTSA1

Denna MOSFET ger kompakt, ytmonterad omkoppling för lågspänningstillämpningar i fordons- och industriella sammanhang. Det är en isolerad transistor med två kanaler som är utformad för drift i förstärkningsläge och erbjuder både N- och P-kanalkomponenter i ett 6-stifts TSOP-paket. Enheten stöder typiska gate-laddningsbeteenden som är lämpliga för snabb omkoppling och fungerar över ett brett temperaturområde som krävs i tuffa miljöer.

Funktioner och fördelar:

• Drain-spänning på 30 V möjliggör omkoppling av system med låg spänning
• 280 mΩ avtappnings- och källmotstånd minskar ledningsförluster
• 2.4 nC typisk grindladdning för effektiv grindstyrning
• 1,5 A kontinuerlig dräneringsström för måttliga strömbelastningar
• Effektförlust på 500 mW förhindrar överhettning i kompakta layouter
• AEC-Q101-kvalificering säkerställer lämplighet för fordonsanvändning

Användningsområden

• Lämplig för omkoppling av DC-laster i fordonselektronik
• Används för kompletterande push-pull-drivsteg
• Idealisk för SMD-strömhantering på styrkort
• Kan användas för batteriskydd och belastningsfrånkoppling
• Lämplig för temperaturkänsliga fordonsmoduler

Vilket antal stift och kapslingstyp använder den?

Komponenten levereras i ett 6-stifts TSOP‐6 ytmonterat paket optimerat för kompakta monteringar.

Hur fungerar den över temperaturer?

Den är klassad för drift från -55 °C upp till 150 °C, vilket upprätthåller funktionaliteten under extrema omgivningsförhållanden.

Har enheten en eller flera element?

Mothållaren innehåller två isolerade element, vilket ger både N- och P-kanalkonfigurationer på ett enda kretskort.

Vilka gränsspänningsgränser måste iakttas?

Gate-to-source-spänningen får inte överstiga 20 V för att förhindra skador på grindisolering.