Infineon 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 1.5 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOP-6, OptiMOS™ AEC-Q101

Antal (1 förpackning med 60 enheter)*

164,52 kr

(exkl. moms)

205,68 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 30 960 enhet(er) från den 08 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
60 +2,742 kr164,52 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
110-7129
Distrelec artikelnummer:
304-36-975
Tillv. art.nr:
BSL316CH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N, Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

1.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Serie

OptiMOS™

Kapseltyp

TSOP-6

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

280mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

500mW

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

2.4nC

Framåtriktad spänning Vf

0.86V

Transistorkonfiguration

Isolerad

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

2.9mm

Höjd

1mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineon OptiMOSTM MOSFET med dubbel effekt


MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.