Vishay Typ P Kanal, Enkla MOSFETs, -6.9 A -40 V Förbättring, 6 Ben, TSOP-6, SQ3419CEV AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 653-161
Tillv. art.nr:: SQ3419CEV-T1_GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay Typ P Kanal, Enkla MOSFETs, -6.9 A -40 V Förbättring, 6 Ben, TSOP-6, SQ3419CEV AEC-Q101

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

9 027,00 kr

(exkl. moms)

11 283,00 kr

(inkl. moms)

Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare

Enheter	Per enhet	Per rulle*
3000 +	3,009 kr	9 027,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 653-161
Tillv. art.nr:: SQ3419CEV-T1_GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Produkttyp	Enkla MOSFETs
	Kanaltyp	Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	-6.9A
	Maximal källspänning för dränering Vds	-40V
	Kapseltyp	TSOP-6
	Serie	SQ3419CEV
	Typ av fäste	Kretskort
	Antal ben	6
	Maximal drain-källresistans Rds	0.092Ω
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	5W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Framåtriktad spänning Vf	-1.2V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	11.3nC
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Bredd	2.98mm
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Längd	3.10mm
	Höjd	1.1mm
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Produkttyp Enkla MOSFETs
	Kanaltyp Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id -6.9A
	Maximal källspänning för dränering Vds -40V
	Kapseltyp TSOP-6
	Serie SQ3419CEV
	Typ av fäste Kretskort
	Antal ben 6
	Maximal drain-källresistans Rds 0.092Ω
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 5W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Framåtriktad spänning Vf -1.2V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 11.3nC
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Bredd 2.98mm
	Standarder/godkännanden RoHS
	Längd 3.10mm
	Höjd 1.1mm
	Fordonsstandard AEC-Q101

Datasheet - SQ3419CEV-T1_GE3

Vishay SQ3419CEV-serien enkel MOSFET, -40 V drain-source-spänning, -6,9 A drain-ström - SQ3419CEV-T1_GE3

Denna enkla MOSFET-enhet är en P-kanalförstärkningstransistor avsedd för kretskortsmontering i fordons- och industriella styrsystem. Utformad för att fungera inom krävande temperaturområden, stöder den omkopplings- och belastningsstyrningsuppgifter där en P-kanalkonfiguration föredras. Komponenten levereras i en kompakt TSOP-6-förpackning som är lämplig för utrymmesbegränsade monteringar och överensstämmer med RoHS-standarder.

Funktioner och fördelar:

• Maximal dränering-källspänning på 40 V ger huvudutrymme för fordonssystem • -6,9 A kontinuerlig dräneringsström stöder måttliga effektbelastningar • 0,092 Ω låg Rds(on) minskar ledningsförluster och värmegenerering • 11,3 nC typisk grindladdning möjliggör förutsägbar omkopplingsprestanda • Effektförlust på 5 W möjliggör kontinuerlig drift under belastning • Klassad för -55 °C till 175 °C användning i miljöer med höga temperaturer

Användningsområden

• Lämpligt för batterihantering och belastningsväxling i fordon • Idealisk för strömfördelning i fordonselektronikmoduler • Används för polaritetsskydd och omvänd strömkontroll i DC-kretsar • Kan användas för industriell styrningselektronik för höga temperaturer

Vilken kapslingstyp ska jag tillåta för kortlayout?

Komponenten levereras i en TSOP-6-kapsel med sex stift, vilket kräver pad och termisk planering som är kompatibel med ytmonterad kretskortsmontering.

Hur hanterar enheten kraven på grindstyrning?

Den tolererar gate-source-spänningar upp till 20 V, vilket möjliggör kompatibilitet med vanliga gate-drivspänningar för fordon och industri.

Vilka miljögränser gäller under drift?

Enheten är specifik för kontinuerlig användning ned till -55 °C och upp till 175 °C, vilket möjliggör drift under breda termiska förhållanden.

Finns det några standardgodkännanden som är relevanta för fordonsdesign?

Den uppfyller AEC-Q101-kraven och levereras i ett RoHS-kompatibelt format som är lämpligt för regleringsmässig tillverkning.