Infineon 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 1.5 A 20 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, OptiMOS AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 längd med 60 enheter)*

199,38 kr

(exkl. moms)

249,24 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 17 100 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per tejp*
60 +3,323 kr199,38 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
110-7726
Distrelec artikelnummer:
304-36-974
Tillv. art.nr:
BSL215CH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ P, Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

1.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Serie

OptiMOS

Kapseltyp

TSOP

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

280mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

500mW

Framåtriktad spänning Vf

0.8V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-12, +12V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

3nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Transistorkonfiguration

Isolerad

Standarder/godkännanden

No

Bredd

1.6mm

Längd

2.9mm

Höjd

1mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineon OptiMOS-serien MOSFET, 20 V maximal drain-källspänning, 1,5 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSL215CH6327XTSA1


Denna MOSFET är en kompakt ytmonterad effekttransistor som är utformad för omkoppling och förstärkning i fordons- och industriella sammanhang. Den består av parkopplade transistorelement i en isolerad konfiguration för att stödja kompletterande tillämpningar där både P-kanal och N-kanal krävs. Komponenten är skräddarsydd för användning på kretskort där ett litet fotavtryck och branschspecifik tillförlitlighet är viktigt.

Funktioner och fördelar:


• Låg grindladdning på 3 nC möjliggör snabbare omkopplingsprestanda
• Maximal kontinuerlig dräneringsström på 1,5 A stöder kretsar med måttlig belastning
• Drain-source-resistans på 280 mΩ minskar ledningsförluster
• Klassad för 20 V drain-source-spänning för lågspänningssystem
• Effektförlust på 500 mW hanterar termisk belastning i kompakta konstruktioner
• Godkänd enligt AEC-Q101 för ökad belastningstolerans för fordonsindustrin

Användningsområden


• Lämplig för omkoppling och styrkretsar för fordonssignaler
• Används med batterihantering och strömfördelningsmoduler
• Idealisk för kompakta DC-DC-omvandlare och spänningsregulatorer
• Kan användas för lastväxling i underhållningssystem
• Lämplig för inbyggda drivsteg för motorstyrning

Inom vilket temperaturområde kan den fungera tillförlitligt?


Den fungerar över -55 °C till 150 °C, vilket möjliggör användning från kalla starter till höga under-bonnet-temperaturer.

Hur många transistorelement finns på chipet?


Enheten innehåller två element per chip ordnade i en isolerad konfiguration för flexibla kretstopologier.

Vilket paket och vilket antal stift ska designers planera för?


Den levereras i ett TSOP-paket med sex stift för ytmontering och layoutplanering.

Vilka gränser för gate-source- och framspänning måste iakttas?


Den maximala gate-källspänningen är 12 V och den framåtriktade spänningen är 0,8 V för diodledning.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.