Infineon 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 1.5 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOP-6, OptiMOS™ AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 166-1082
- Tillv. art.nr:
- BSL316CH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
4 839,00 kr
(exkl. moms)
6 048,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- 30 000 enhet(er) är redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 1,613 kr | 4 839,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 166-1082
- Tillv. art.nr:
- BSL316CH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N, Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Kapseltyp | TSOP-6 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 280mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 2.4nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.86V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 500mW | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Höjd | 1mm | |
| Längd | 2.9mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N, Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie OptiMOS™ | ||
Kapseltyp TSOP-6 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 280mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 2.4nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.86V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 500mW | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Höjd 1mm | ||
Längd 2.9mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Infineon OptiMOSTM MOSFET med dubbel effekt
MOSFET-transistorer, Infineon
Relaterade länkar
- Infineon 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 1.5 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOP-6, OptiMOS™ AEC-Q101
- Infineon 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 2 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 1.5 A 20 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon 1 Typ P, Typ N Kanal Dubbel, MOSFET-arrayer, 2.3 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon 2 Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SC-88, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon 2 Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 950 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-88, OptiMOS 2 AEC-Q101
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 7.4 A 40 V Förbättring, 6 Ben, TSOP-6, SQ Rugged AEC-Q101
- Vishay Typ P Kanal, Enkla MOSFETs, 7.5 A -30 V Förbättring, 6 Ben, TSOP-6, SQ3481CEV AEC-Q101
