Vishay N Kanal, MOSFET, 208 A 45 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET
- RS-artikelnummer:
- 904-976
- Tillv. art.nr:
- SIR608DP-T1-BE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 1 enhet)*
23,71 kr
(exkl. moms)
29,64 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 08 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Tejp(er) | Per tejp |
|---|---|
| 1 - 9 | 23,71 kr |
| 10 - 24 | 15,46 kr |
| 25 - 99 | 9,17 kr |
| 100 - 499 | 8,91 kr |
| 500 + | 8,65 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 904-976
- Tillv. art.nr:
- SIR608DP-T1-BE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 208A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 45V | |
| Kapseltyp | PowerPAK | |
| Serie | TrenchFET | |
| Typ av fäste | Ytmontering | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.0012Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 50.5nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal effektförlust Pd | 104W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | ROHS | |
| Längd | 6.15mm | |
| Bredd | 5.15mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 208A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 45V | ||
Kapseltyp PowerPAK | ||
Serie TrenchFET | ||
Typ av fäste Ytmontering | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.0012Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 50.5nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal effektförlust Pd 104W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden ROHS | ||
Längd 6.15mm | ||
Bredd 5.15mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- IL
Vishays effekt-MOSFET är utformad för att ge effektiv omkoppling och en hög effekttäthet. Med en robust prestandaprofil har den låg påslagningsresistans, vilket säkerställer optimal drift inom DC/DC-omvandlartillämpningar.
TrenchFET Gen IV-design säkerställer utmärkt effektivitet
45 V drain-källbrytningsspänning för tillförlitlig prestanda
Låg på-motstånd nominellt 0,00120 ohm vid 10 V
Robust kontinuerlig dräneringsström på 208 A vid 25 °C