Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 20 A 250 V N, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 851-504
- Tillv. art.nr:
- SIR692DP-T1-BE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 1 enhet)*
30,02 kr
(exkl. moms)
37,52 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 25 oktober 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Tejp(er) | Per tejp |
|---|---|
| 1 - 9 | 30,02 kr |
| 10 - 99 | 19,49 kr |
| 100 - 499 | 13,33 kr |
| 500 - 999 | 10,86 kr |
| 1000 + | 10,08 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 851-504
- Tillv. art.nr:
- SIR692DP-T1-BE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 20A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 250V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Kapseltyp | PowerPAK | |
| Typ av fäste | Ytmontering | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.067Ω | |
| Kanalläge | N | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 104W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 25.3nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 1.04mm | |
| Längd | 6.05mm | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101 Qualified | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 20A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 250V | ||
Serie TrenchFET | ||
Kapseltyp PowerPAK | ||
Typ av fäste Ytmontering | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.067Ω | ||
Kanalläge N | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 104W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 25.3nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 1.04mm | ||
Längd 6.05mm | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101 Qualified | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- DE
Vishays högpresterande MOSFET är utformad för effektiv strömhantering i olika elektroniska system, vilket säkerställer tillförlitlighet och precision i omkopplingstillämpningar.
Använder ThunderFET-teknik för optimal RDS(on), Qg, Qsw och Qoss-balansering
Garanterat 100 % Rg och UIS-testad för ökad tillförlitlighet
Stöder en maximal drain-källspänning på 250 V
Minimal påslagningsresistans på 0,063 Ω vid VGS på 10 V säkerställer låg effektförlust
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 100 A 60 V N, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 42.3 A 70 V N, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 40 A 80 V N, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 45.3 A 70 V N, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 19 A 60 V N, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, -8 A -20 V P, 8 Ben, PowerPAK, SI34 AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 208 A 45 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 116 A 80 V N, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101