Vishay N Kanal, MOSFET, 14 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET
- RS-artikelnummer:
- 904-972
- Tillv. art.nr:
- SI7120BDN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 1 enhet)*
4,45 kr
(exkl. moms)
5,56 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 04 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Tejp(er) | Per tejp |
|---|---|
| 1 - 24 | 4,45 kr |
| 25 - 99 | 2,88 kr |
| 100 + | 1,70 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 904-972
- Tillv. art.nr:
- SI7120BDN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 14A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Kapseltyp | PowerPAK | |
| Typ av fäste | Ytmontering | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.021Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 4.3nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 19.8W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 3.3mm | |
| Standarder/godkännanden | ROHS | |
| Längd | 3.3mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 14A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie TrenchFET | ||
Kapseltyp PowerPAK | ||
Typ av fäste Ytmontering | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.021Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 4.3nC | ||
Maximal effektförlust Pd 19.8W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 3.3mm | ||
Standarder/godkännanden ROHS | ||
Längd 3.3mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- IL
Vishays N-kanal MOSFET är utformad för effektiv strömhantering, vilket ger förbättrad prestanda i olika elektroniska tillämpningar genom avancerade funktioner och robust tillförlitlighet.
TrenchFET Gen IV-teknik optimerar effektiviteten och minskar effektförlusten
100 % testad för R och UIS, vilket säkerställer konsekvent tillförlitlighet
Blyfri (Pb) konstruktion följer miljöstandarder
Optimerade omkopplingsegenskaper stöder höghastighetstillämpningar
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 9 A 60 V Förbättring, 6 Ben, PowerPAK, TrenchFET
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -104 A -20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8SH, TrenchFET
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -36 A -20 V Förbättring, 6 Ben, PowerPAK SC-70, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 45.3 A 70 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 20 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 185.6 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 42.3 A 70 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 225 A 100 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), TrenchFET