Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 45.3 A 70 V N, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 851-509
- Tillv. art.nr:
- SISS178LDN-T1-BE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Denna bild representerar endast produktgruppen
Få en mängdrabatt
Lägg till 10 till för att spara 37%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 1 enhet)*
19,71 kr
(exkl. moms)
24,64 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 6 000 enhet(er) från den 09 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Tejp(er) | Per tejp | Besparing |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 19,71 kr | - |
| 10 - 99 | 12,32 kr | 37% |
| 100 - 499 | 8,06 kr | 59% |
| 500 - 999 | 6,50 kr | 67% |
| 1000 + | 5,82 kr | 70% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 851-509
- Tillv. art.nr:
- SISS178LDN-T1-BE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 45.3A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 70V | |
| Kapseltyp | PowerPAK | |
| Serie | TrenchFET | |
| Typ av fäste | Ytmontering | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.013Ω | |
| Kanalläge | N | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 39W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 18.7nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101 Qualified | |
| Höjd | 1.04mm | |
| Längd | 6.05mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 45.3A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 70V | ||
Kapseltyp PowerPAK | ||
Serie TrenchFET | ||
Typ av fäste Ytmontering | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.013Ω | ||
Kanalläge N | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 39W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 18.7nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101 Qualified | ||
Höjd 1.04mm | ||
Längd 6.05mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- IL
Vishays N-kanal MOSFET erbjuder hög effektivitet i strömhantering, med en robust konstruktion som stöder olika elektriska krav i avancerade elektroniska tillämpningar.
Klassad för en dräneringskällspänning på 70 V, vilket säkerställer tillförlitlig prestanda i olika tillämpningar
Har låg påslagningsresistans med maximalt 0, 0109 Ω vid 4, 5 V, vilket förbättrar energieffektiviteten
Utformad för att hantera kontinuerliga dräneringsströmmar på upp till 42,3 A, vilket stöder högströmsdrift
Innehåller en enda pulsavalancheklassning på 15 A, vilket skyddar mot spänningstransienter
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 40 A 80 V N, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 42.3 A 70 V N, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 20 A 250 V N, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 45.3 A 70 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, SISS178LDN
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 19 A 60 V N, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 100 A 60 V N, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, -8 A -20 V P, 8 Ben, PowerPAK, SI34 AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 45.3 A 70 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET