Vishay N Kanal, MOSFET, 330 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET
- RS-artikelnummer:
- 904-978
- Tillv. art.nr:
- SIRS4614EPW-T1-RE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet, på ett band med 1)*
33,93 kr
(exkl. moms)
42,41 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 04 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Tejp(er) | Per tejp |
|---|---|
| 1 - 9 | 33,93 kr |
| 10 - 24 | 22,01 kr |
| 25 - 99 | 13,10 kr |
| 100 - 499 | 12,71 kr |
| 500 + | 12,45 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 904-978
- Tillv. art.nr:
- SIRS4614EPW-T1-RE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 330A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Kapseltyp | PowerPAK | |
| Typ av fäste | Ytmontering | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.000995Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 205W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 98nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 5mm | |
| Standarder/godkännanden | ROHS | |
| Längd | 6mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 330A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie TrenchFET | ||
Kapseltyp PowerPAK | ||
Typ av fäste Ytmontering | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.000995Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 205W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 98nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 5mm | ||
Standarder/godkännanden ROHS | ||
Längd 6mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- DE
Vishays effekt-MOSFET är utformad för högeffektiv drift, specifikt för att hantera effektförluster i samband med ledning i elektroniska tillämpningar. Denna komponent kännetecknas av sin robusta konstruktion och hållbarhet under varierande förhållanden.
TrenchFET Gen IV-teknik säkerställer utmärkta prestanda med minimal effektförlust
Klassad för en dräneringskällspänning på 60 V, vilket ger stabilitet i högspänningsmiljöer
Låg påslagningsresistans maximerar effektiviteten i strömhanteringstillämpningar
Utformad med förbättrad effektförlust för minskade termiska problem
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 80.3 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -101.4 A -40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 208 A 45 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 14 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 9 A 60 V Förbättring, 6 Ben, PowerPAK, TrenchFET
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -104 A -20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8SH, TrenchFET
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -136.7 A -20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8S, TrenchFET
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -36 A -20 V Förbättring, 6 Ben, PowerPAK SC-70, TrenchFET