Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 2.5 A 20 V Förbättringsläge, 6 Ben, TSOP-6, TrenchFET
- RS-artikelnummer:
- 847-934
- Tillv. art.nr:
- SI3552BDV-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 1 enhet)*
8,62 kr
(exkl. moms)
10,78 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 25 oktober 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Tejp(er) | Per tejp |
|---|---|
| 1 - 9 | 8,62 kr |
| 10 - 99 | 5,94 kr |
| 100 - 499 | 3,81 kr |
| 500 - 999 | 2,24 kr |
| 1000 + | 1,79 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 847-934
- Tillv. art.nr:
- SI3552BDV-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | TSOP-6 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Typ av fäste | Ytmontering | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.200Ω | |
| Kanalläge | Förbättringsläge | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.15W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 2.1nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1mm | |
| Längd | 2.9mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS3 Compliant | |
| Bredd | 1.6mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp TSOP-6 | ||
Serie TrenchFET | ||
Typ av fäste Ytmontering | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.200Ω | ||
Kanalläge Förbättringsläge | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 1.15W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 2.1nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1mm | ||
Längd 2.9mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS3 Compliant | ||
Bredd 1.6mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- DE
Vishays effekt-MOSFET kombinerar både N- och P-kanalfunktioner för effektiv prestanda i olika tillämpningar. Denna enhet maximerar energieffektiviteten samtidigt som den bibehåller tillförlitligheten i kompakta utrymmen.
TrenchFET-teknik säkerställer låg påslagningsresistans för bättre effektivitet
Har en maximal drain-källspänning på 30 V för N-kanal och -30 V för P-kanal
Kontinuerlig dräneringsström klassad för upp till 3,7 A för tillförlitlig drift
Bly är halogenfri, vilket främjar miljömässig hållbarhet
Har ett kompakt TSOP-6-paket för utrymmesbesparande konstruktioner
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 6 A 30 V Förbättringsläge, 6 Ben, TSOP-6, SI
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 6 A 30 V Förbättringsläge, 8 Ben, TSOP-6, SI
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 3.4 A 30 V Förbättringsläge, 6 Ben, P, SI
- Vishay P-kanal Kanal, Enkla MOSFETs, -6.3 A -30 V Förbättringsläge, 4 Ben, MIKROFOT, TrenchFET
- Vishay P-kanal Kanal, Enkla MOSFETs, 6.8 A 30 V Förbättringsläge, 6 Ben, TSOP-6, SQ
- Vishay N Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Förbättring, 6 Ben, TSOP-6, TrenchFET
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 34.6 A 70 V Förbättringsläge, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3FS, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 8 A 12 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET