Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 34.6 A 70 V Förbättringsläge, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3FS, TrenchFET
- RS-artikelnummer:
- 847-936
- Tillv. art.nr:
- SIZF458LDT-T1-UE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet, på ett band med 1)*
21,73 kr
(exkl. moms)
27,16 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 25 oktober 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Tejp(er) | Per tejp |
|---|---|
| 1 - 9 | 21,73 kr |
| 10 - 99 | 13,66 kr |
| 100 - 499 | 9,30 kr |
| 500 - 999 | 7,50 kr |
| 1000 + | 6,72 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 847-936
- Tillv. art.nr:
- SIZF458LDT-T1-UE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 34.6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 70V | |
| Kapseltyp | PowerPAIR 3 x 3FS | |
| Serie | TrenchFET | |
| Typ av fäste | Ytmontering | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.020Ω | |
| Kanalläge | Förbättringsläge | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 48.1W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 5.2nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 12V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1mm | |
| Längd | 3.3mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS3 Compliant | |
| Bredd | 3.3mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 34.6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 70V | ||
Kapseltyp PowerPAIR 3 x 3FS | ||
Serie TrenchFET | ||
Typ av fäste Ytmontering | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.020Ω | ||
Kanalläge Förbättringsläge | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 48.1W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 5.2nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 12V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1mm | ||
Längd 3.3mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS3 Compliant | ||
Bredd 3.3mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- TW
Vishays dubbla N-kanal MOSFET är utformad för effektiv strömhantering, främst för omkopplingstillämpningar som kräver hög tillförlitlighet och prestanda under varierande spänningsförhållanden.
Fungerar med en maximal dräneringskällspänning på 70 V för robust prestanda
Optimerad för konfigurationer med 50 % arbetscykel, vilket förbättrar effektiviteten vid omkoppling
Använder flip-chip-teknik, vilket ger överlägsen termisk design för bättre värmeavledning
100 % testad för R och UIS för att säkerställa tillförlitlighet i kritiska tillämpningar
Relaterade länkar
- Vishay Dubbel N Kanal, MOSFET, 125 A 30 V Förbättring, 12 Ben, PowerPAIR 3 x 3FS, TrenchFET
- Vishay Dubbel N Kanal, MOSFET, 60 A 70 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3FS, SIZF456LDT
- Vishay Dubbel N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 12 Ben, PowerPAIR 3 x 3FS, SIZF5302DT
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 2.5 A 20 V Förbättringsläge, 6 Ben, TSOP-6, TrenchFET
- Vishay P-kanal Kanal, Enkla MOSFETs, -6.3 A -30 V Förbättringsläge, 4 Ben, MIKROFOT, TrenchFET
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 149 A 80 V Förbättringsläge, 8 Ben, P, SI
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 3.4 A 80 V Förbättringsläge, 8 Ben, P, SI
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 125 A 80 V Förbättringsläge, 8 Ben, P, SIR