Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 352 A 80 V Förbättringsläge, 8 Ben, PowerPAK (8x8LR), TrenchFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 847-933
- Tillv. art.nr:
- SQJQ580ER-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet, på ett band med 1)*
56,67 kr
(exkl. moms)
70,84 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 24 maj 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Tejp(er) | Per tejp |
|---|---|
| 1 - 9 | 56,67 kr |
| 10 - 99 | 37,07 kr |
| 100 - 499 | 27,78 kr |
| 500 - 999 | 23,30 kr |
| 1000 + | 22,18 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 847-933
- Tillv. art.nr:
- SQJQ580ER-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 352A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Kapseltyp | PowerPAK (8x8LR) | |
| Typ av fäste | Ytmontering | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.00144Ω | |
| Kanalläge | Förbättringsläge | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 12V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 93nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal effektförlust Pd | 375W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 8mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS3 Compliant | |
| Höjd | 1.6mm | |
| Längd | 8mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 352A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Serie TrenchFET | ||
Kapseltyp PowerPAK (8x8LR) | ||
Typ av fäste Ytmontering | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.00144Ω | ||
Kanalläge Förbättringsläge | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 12V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 93nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal effektförlust Pd 375W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 8mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS3 Compliant | ||
Höjd 1.6mm | ||
Längd 8mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Vishays N-kanal-effekt-MOSFET för fordon ger effektiv högpresterande omkoppling för en mängd olika krävande tillämpningar, vilket säkerställer tillförlitlighet under extrema förhållanden.
TrenchFET Gen V-teknik säkerställer förbättrad effektivitet och prestanda
AEC-Q101-kvalificerad för fordonstillämpningar, vilket säkerställer överensstämmelse med industristandarder
Kontinuerlig dräneringsström klassad till 352 A under standardförhållanden
Tunn profil på 1,9 mm maximerar utrymmeseffektiviteten i konstruktioner
100 % testad för R och UIS, vilket säkerställer tillförlitlig drift
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 105 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK (8x8LR), TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 189 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK (8x8LR), TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 363 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK (8x8LR), TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -230 A -40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK (8x8LR), TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 375 A 60 V Förbättringsläge, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 430 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK (8x8LR) AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 329 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK (8x8LR), SQJQ186ER AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 430 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK (8x8LR), SQJQ184ER AEC-Q101