STMicroelectronics N-kanal Kanal, MOSFET, 56 A 250 V Förbättringsläge, 3 Ben, TO-263, STB Series
- RS-artikelnummer:
- 839-144
- Tillv. art.nr:
- STB25N018M9
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Denna bild representerar endast produktgruppen
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
61,82 kr
(exkl. moms)
77,28 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 23 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 61,82 kr |
| 10 - 99 | 40,54 kr |
| 100 - 499 | 30,02 kr |
| 500 - 999 | 26,99 kr |
| 1000 + | 22,74 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 839-144
- Tillv. art.nr:
- STB25N018M9
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N-kanal | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 56A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 250V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | STB Series | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 18mΩ | |
| Kanalläge | Förbättringsläge | |
| Maximal effektförlust Pd | 320W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 85nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 4.5mm | |
| Längd | 10.3mm | |
| Bredd | 10mm | |
| Standarder/godkännanden | ROHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N-kanal | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 56A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 250V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie STB Series | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 18mΩ | ||
Kanalläge Förbättringsläge | ||
Maximal effektförlust Pd 320W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 85nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 4.5mm | ||
Längd 10.3mm | ||
Bredd 10mm | ||
Standarder/godkännanden ROHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics Power MOSFET är en N-kanal super-junction-komponent byggd på avancerad MDmesh M9-teknik. Det möjliggör mindre och mer kompakta layouter utan att kompromissa med termisk kapacitet.
D2PAK ytmonterad förpackningstyp
Silikonbaserad multi-drain-tillverkningsprocess
Låg grindladdning med enastående effektivitet
Förbättrad dv/dt-kapacitet och avalanche-testad
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STB
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 600 V Förbättring, 2 Ben, TO-263, STB
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, MOSFET, 220 A 80 V Förbättringsläge, 8 Ben, PowerFLAT
- Vishay P-kanal Kanal, Enkla MOSFETs, -93 A -100 V Förbättringsläge, 3 Ben, TO-263, SQM
- Vishay P-kanal Kanal, Enkla MOSFETs, -120 A -60 V Förbättringsläge, 3 Ben, TO-263, SI
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, MOSFET, 125 A 100 V Förbättringsläge, 8 Ben, PowerLeaded AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, MOSFET, 302 A 100 V Förbättringsläge, 7 Ben, PowerLeaded AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 292 A 100 V Förbättringsläge, 3 Ben, H2PAK, STH280N10F8-6