STMicroelectronics N-kanal Kanal, MOSFET, 125 A 100 V Förbättringsläge, 8 Ben, PowerLeaded AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 834-675
- Tillv. art.nr:
- STL125N10LF8AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 3000 enheter)*
28 668,00 kr
(exkl. moms)
35 835,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 07 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 9,556 kr | 28 668,00 kr |
| 6000 + | 9,03 kr | 27 090,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 834-675
- Tillv. art.nr:
- STL125N10LF8AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | N-kanal | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 125A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | PowerLeaded | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.6mΩ | |
| Kanalläge | Förbättringsläge | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 1mm | |
| Bredd | 5mm | |
| Standarder/godkännanden | ROHS | |
| Längd | 6mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp N-kanal | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 125A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp PowerLeaded | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.6mΩ | ||
Kanalläge Förbättringsläge | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 1mm | ||
Bredd 5mm | ||
Standarder/godkännanden ROHS | ||
Längd 6mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics Power MOSFET använder avancerad trenchgrindsteknik för att optimera effekttäthet och effektivitet i fordons- och industriella strömomvandlingssystem.
Godkänd för fordonsindustrin säkerställer tillförlitlig drift under extrema förhållanden
Status för ART-förtjänstfaktorn minskar de totala omkopplingsförlusterna avsevärt
Mycket låg påslagningsresistans minimerar värmeavledning vid hög strömledning
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, MOSFET, 302 A 100 V Förbättringsläge, 7 Ben, PowerLeaded AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal Typ N Kanal, MOSFET, 672 A 40 V Förbättring, 4 Ben, PowerLeaded, STK615 AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 292 A 100 V Förbättringsläge, 3 Ben, H2PAK, STH285N10F8-6AG AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 292 A 100 V Förbättringsläge, 3 Ben, H2PAK-2, STH285N10F8-2AG AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 6 A 1200 V Förbättringsläge, 3 Ben, H2PAK-2, MDmesh K5 AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 6 A 1200 V Förbättringsläge, 3 Ben, H2PAK-2, STH285N10F8-6AG AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, MOSFET, 220 A 80 V Förbättringsläge, 8 Ben, PowerFLAT
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 292 A 100 V Förbättringsläge, 3 Ben, H2PAK, STH280N10F8-6