STMicroelectronics N-kanal Kanal, MOSFET, 220 A 80 V Förbättringsläge, 8 Ben, PowerFLAT
- RS-artikelnummer:
- 834-676
- Tillv. art.nr:
- STL190N8F8
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Denna bild representerar endast produktgruppen
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
46 977,00 kr
(exkl. moms)
58 722,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 07 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 15,659 kr | 46 977,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 834-676
- Tillv. art.nr:
- STL190N8F8
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | N-kanal | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 220A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Kapseltyp | PowerFLAT | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.6mΩ | |
| Kanalläge | Förbättringsläge | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 6mm | |
| Höjd | 1mm | |
| Bredd | 5mm | |
| Standarder/godkännanden | ROHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp N-kanal | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 220A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Kapseltyp PowerFLAT | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.6mΩ | ||
Kanalläge Förbättringsläge | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 6mm | ||
Höjd 1mm | ||
Bredd 5mm | ||
Standarder/godkännanden ROHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- SG
STMicroelectronics N-kanals effekt-MOSFET är utformad för att leverera effektiv prestanda i olika strömtillämpningar. Den har robusta specifikationer som är lämpliga för höga strömkrav i kompakt förpackning.
Max drain-källspänning på 80 V säkerställer driftsäkerhet
Låg påslagningsresistans på 4,5 mΩ främjar energieffektivitet
Hög kontinuerlig dräneringsström upp till 126 A stöder krävande konstruktioner
Optimerad för en maximal kopplingstemperatur på 175 °C för ökad hållbarhet
Avalanche-testad design garanterar robusthet under felförhållanden
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 96 A 60 V Förbättringsläge, 8 Ben, PowerFLAT, STH285N10F8-6AG
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 80 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL1 AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 95 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, MOSFET, 125 A 100 V Förbättringsläge, 8 Ben, PowerLeaded AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, MOSFET, 302 A 100 V Förbättringsläge, 7 Ben, PowerLeaded AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, N-kanals MOSFET, 154 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 292 A 100 V Förbättringsläge, 3 Ben, H2PAK, STH280N10F8-6
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, MOSFET, 56 A 250 V Förbättringsläge, 3 Ben, TO-263, STB Series
