STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 292 A 100 V Förbättringsläge, 3 Ben, H2PAK, STH280N10F8-6

Denna bild representerar endast produktgruppen

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

33,49 kr

(exkl. moms)

41,86 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 300 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 933,49 kr
10 - 2429,57 kr
25 - 9926,43 kr
100 - 49922,62 kr
500 +20,94 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
800-458
Tillv. art.nr:
STH280N10F8-6
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Kanaltyp

N-kanal

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

292A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

H2PAK

Serie

STH280N10F8-6

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.9mΩ

Kanalläge

Förbättringsläge

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

341W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

177nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

4V

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

10.4mm

Höjd

15.8mm

Bredd

4.7mm

Standarder/godkännanden

ECOPACK

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
STMicroelectronics 100 V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET är konstruerad i STripFET F8-teknik och har en förbättrad grindgrindstruktur.

175 °C högsta driftstemperatur vid sammanslagning

100 % avalanche-testade

Utmärkt FoM (förtjänstvärde)

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.