Vishay P-kanal Kanal, Enkla MOSFETs, -93 A -100 V Förbättringsläge, 3 Ben, TO-263, SQM
- RS-artikelnummer:
- 829-357
- Tillv. art.nr:
- SQM100P10-19L_NE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
23,41 kr
(exkl. moms)
29,26 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 08 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 23,41 kr |
| 10 - 24 | 22,85 kr |
| 25 - 99 | 22,29 kr |
| 100 + | 20,83 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 829-357
- Tillv. art.nr:
- SQM100P10-19L_NE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Kanaltyp | P-kanal | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | -93A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | -100V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | SQM | |
| Typ av fäste | Ytmontering | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.0190Ω | |
| Kanalläge | Förbättringsläge | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 124nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 375W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Höjd | 4.57mm | |
| Längd | 10.16mm | |
| Bredd | 10.28mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Kanaltyp P-kanal | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id -93A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds -100V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie SQM | ||
Typ av fäste Ytmontering | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.0190Ω | ||
Kanalläge Förbättringsläge | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 124nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 375W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Höjd 4.57mm | ||
Längd 10.16mm | ||
Bredd 10.28mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- GB
Vishays effekt-MOSFET är utformad för fordonstillämpningar och erbjuder effektiv prestanda och hög tillförlitlighet. Dess avancerade TrenchFET-teknik säkerställer optimal värmehantering och effektiva omkopplingsmöjligheter.
TrenchFET-tekniken förbättrar effektiviteten och den termiska prestandan
Klassad för en drain-source-spänning på -100 V, vilket säkerställer robust drift
Förpackning utformad för låg termisk resistans för bättre värmeavledning
Tester visar 100 % R- och UIS-validering för hög tillförlitlighet
Relaterade länkar
- Vishay P-kanal Kanal, Enkla MOSFETs, -120 A -60 V Förbättringsläge, 3 Ben, TO-263, SI
- Vishay P-kanal Kanal, Enkla MOSFETs, -36 A -60 V Förbättringsläge, 8 Ben, P, SQJ
- Vishay N-kanal Kanal, Enkla MOSFETs, 95 A 200 V Förbättringsläge, 8 Ben, P, SQJ
- Vishay N-kanal Kanal, Enkla MOSFETs, 100 A 60 V Förbättringsläge, 8 Ben, P, SQJ
- Vishay N-kanal Kanal, Enkla MOSFETs, 268 A 60 V Förbättringsläge, 8 Ben, P, SQJ
- Vishay N-kanal Kanal, Enkla MOSFETs, 149 A 80 V Förbättringsläge, 8 Ben, P, SI
- Vishay N-kanal Kanal, Enkla MOSFETs, 125 A 80 V Förbättringsläge, 8 Ben, P, SIR
- Vishay N-kanal Kanal, Enkla MOSFETs, 3.4 A 80 V Förbättringsläge, 8 Ben, P, SI