ROHM N Kanal, Enkla MOSFETs, 40 A -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), AG087FGD3HRB AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 687-378
- Tillv. art.nr:
- AG087FGD3HRBTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 2 enheter)*
17,42 kr
(exkl. moms)
21,78 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 90 enhet(er) från den 14 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 8,71 kr | 17,42 kr |
| 20 - 48 | 7,665 kr | 15,33 kr |
| 50 - 198 | 6,88 kr | 13,76 kr |
| 200 - 998 | 5,57 kr | 11,14 kr |
| 1000 + | 5,435 kr | 10,87 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 687-378
- Tillv. art.nr:
- AG087FGD3HRBTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 40A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | -40V | |
| Kapseltyp | TO-252 (TL) | |
| Serie | AG087FGD3HRB | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 7.0mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 53W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 14.9nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 10.5mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, AEC-Q101 | |
| Höjd | 2.3mm | |
| Bredd | 6.8mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 40A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds -40V | ||
Kapseltyp TO-252 (TL) | ||
Serie AG087FGD3HRB | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 7.0mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 53W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 14.9nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 10.5mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS, AEC-Q101 | ||
Höjd 2.3mm | ||
Bredd 6.8mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
ROHM Power MOSFET är utformad för fordons- och industritillämpningar. Denna mångsidiga komponent fungerar vid en maximal dräneringskällspänning på 40 V, vilket möjliggör effektiv styrning i strömhanteringssystem. Den är byggd med avancerad teknik och har en låg påslagningsresistans på 7,0 mΩ, vilket optimerar energieffektivitet och termisk prestanda. AEC-Q101-certifierad, denna MOSFET är tillförlitlig även i krävande fordonsmiljöer, vilket gör den till ett bra val för ingenjörer som söker hållbara lösningar. Dess robusta termiska motstånd och avalanktestade design säkerställer exceptionell tillförlitlighet under varierade driftsförhållanden, vilket cementerar dess status som ett alternativ för tillämpningar med hög ström.
Kontinuerlig dräneringsström klassad för ±40 A, vilket ger tillförlitlig prestanda i krävande scenarier
Brytningsspänning på 40 V säkerställer robust skydd mot överspänningsförhållanden
Låg gränsspänning på 1,0 V till 2,5 V underlättar smidigare drift och kontroll
Uppfyller AEC Q101, vilket lyfter fram dess lämplighet för fordonstillämpningar
Exceptionell värmebeständighet på 2,80 °C/W, vilket förbättrar värmeavledningen och livslängden
100 % avalanche-testad, vilket ger sinnesro i miljöer med hög belastning
Har ett DPAK-paket, vilket optimerar fotavtrycket samtidigt som det stöder effektiv värmehantering
Lämpligt för högeffektiva konstruktioner i fordonsindustrin och andra tillämpningar med hög ström
Relaterade länkar
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3G04BBJHRB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), AG501EGD3HRB AEC-Q101
- ROHM Typ N Kanal, Enkla MOSFETs -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), AG185FGD3HRB AEC-Q101
- ROHM Typ N Kanal, Enkla MOSFETs 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3G08DBKHRB AEC-Q101
- ROHM Typ N Kanal, Enkla MOSFETs, 80 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), AG086FGD3HRB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3N045AT AEC-Q101
- ROHM Typ N Kanal, Enkla MOSFETs 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), AG091FLD3HRB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3P08BBLHRB AEC-Q101